igbt熔煉爐電源控制一部分原理及優(yōu)勢(shì)
(1)IGBT中頻電源為一種恒功率輸出電源,加一定量料就可以做到滿(mǎn)功率輸出,而且始終保持不會(huì)改變,因此熔融速度非?;因逆變電源一部分采用串聯(lián)諧振,且逆變電源電壓高,因此IGBT中頻比普通可控硅中頻環(huán)保節(jié)能;IGBT中頻采用調(diào)頻調(diào)功,整流一部分采用全橋整流,電感和電容濾波,且始終運(yùn)行在500V,因此IGBT中頻造成高次諧波小,對(duì)電力網(wǎng)造成污染工低。
(2)節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可環(huán)保節(jié)能15%-25%,環(huán)保節(jié)能的主要原因有以下幾下方面:
A、逆變電源電壓高,電流小,線(xiàn)路損耗小,此一部分可環(huán)保節(jié)能15%左右,節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電源電壓為2800V,而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電源電壓僅為750V,電流小了近4倍,線(xiàn)路損耗大幅度降低。
B、功率因數(shù)補(bǔ)償高,功率因數(shù)補(bǔ)償始終大于0.98,無(wú)功損耗小,此一部分比可控硅中頻電源環(huán)保節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式,整流一部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角,因此整個(gè)運(yùn)行過(guò)程功率因數(shù)補(bǔ)償始終大于0.98,無(wú)功率損耗小。
B、 爐品熱損失小,由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率可控硅中頻電源一爐可快15分鐘左右,15分鐘的時(shí)間內(nèi)爐口損失的熱量可占整個(gè)過(guò)程的3%,因此此一部分比可控硅中頻可環(huán)保節(jié)能3%左右。
(3)高次諧波電磁干擾:高次諧波主要來(lái)自整流一部分調(diào)壓時(shí)可控硅造成的毛刺電壓,會(huì)嚴(yán)重污染電力網(wǎng),導(dǎo)致別的設(shè)備無(wú)法正常運(yùn)行,而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整流一部分 采用半可控整流方式,直流電壓始終運(yùn)行在最高,不調(diào)導(dǎo)通角,因此它不會(huì)造成高次諧波,不會(huì)污染電力網(wǎng)、變壓器,開(kāi)關(guān)不發(fā)熱,不會(huì)電磁干擾工廠(chǎng)內(nèi)別的電子產(chǎn)品運(yùn)作。
(4)恒功率輸出:可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功,而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功,它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響,在整個(gè)熔煉過(guò)程中保持恒功率輸出,尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí),更顯示它的優(yōu)越性,熔融速度非常快,爐料元素?zé)龘p少,降低鑄造成本。